Май 2017
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
1 2 3 4 5 6 7
8 9 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31 1 2 3 4

Вакансии

Уникальные возможности

Технология атомно-слоевого осаждения
Мультитехнологичность комплекса ЗНТЦ позволяет обеспечить постановку уникальных технологических процессов с использованием различных типов металлизации.
Технология атомно-слоевого осаждения (ALD) является одним из важных процессов кристального производства, используется для нанесения тонких одноатомных проводящих и диэлектрических слоев с очень высоким конформным заполнением рельефа поверхности образцов.
Атомно-слоевое осаждение представляет собой поверхностно-контролируемый и самоограниченный метод нанесения пленок в газовой фазе, который позволяет создавать тонкие покрытия, обладающие 100 % однородностью и конформностью наряду с отсутствием дефектов, трещин и микроканалов. Данный метод позволяет напылять плёнки как на поверхности, имеющие большие площади, так и на подложки, обладающие особенностями рельефа на нано-масштабах (например, углубления со сверхвысоким соотношением геометрических размеров и пористые образцы с высокой извилистостью каналов).
Метод АСО позволяет наносить нанослои оксидов металлов, нитридов, сульфидов, фторидов и металлических (включая благородные металлы) покрытий, наноламинатов, ступенчатых слоев, смешанных оксидных и допированных тонких плёнок.
Полупроводниковая промышленность и производство интегральных схем, МЭМС/НЭМС, сенсоры, оптика и оптоэлектроника, производство катализаторов, технологии чистой и возобновляемой энергии, защита от коррозии, декоративные покрытия и плёнки, предотвращающие потускнение, очистка воды и инновационные упаковочные материалы – далеко не полный список широкого спектра приложений, в которых возможно использование метода АСО.

Область применения метода АСОРоль метода АСОМатериал(ы) для АСО
Головки чтения
для жестких дисков
Создание пассивирующего слоя
Аl2O3
Устройства/процессы
МЭМС (MEMS)
Слои, предотвращающие процесс
травления
Аl2O3

Защитные слои
Аl2O3

Антистикционные слои
TiO2

Гидрофобные слои
Аl2O3

Адгезивные слои
Аl2O3

Слои, уменьшающие трение и износ
Аl2O3, TiO2

Слои, предотвращающие короткое
замыкание
Аl2O3

Зарядно-рассеивающие слои
ZnO:Al
КМОП (CMOS)
Изолирующие слои затворов,
обладающие
высокой диэлектрической
постоянной k
HfxSiyO, HfO2, Та2O5,
ZrO2, TiO2


Контактные электроды
TaCxNy
Память
Ферроэлектрические материалы
HfO2

Парамагнитные материалы
Gd2O3, Еr2O3, Dy2O3, Но2O3

Немагнитные соединения
Ru, Ir

Электроды
Благородные металлы
Сенсоры
Пассивация считывающих головок
SiO2, Аl2O3
Технология 3D
VIA TSV
Cu, Ru, TiN
Медицинские применения
Биосовместимые материалы
TiO2
Плоские
электролюминесцентные
дисплеи (FPELD)
Светоизлучающие и
пассивирующие слои
Допированный (марганцем,
эрбием и пр.) сульфид цинка
ZnS (светоизлучающий слой)
и Аl2O3 (пассивирующий слой)
Солнечные элементы
на основе кристаллического
кремния
Пассивация поверхности
Аl2O3
Тонкопленочные солнечные
элементы с использованием
CIGS
Буферные слои
ZnxMnyO

Прозрачные проводящие
слои оксидов (ТСО)
ZnO: Аl
Защита от коррозии
Поверхностный слой
для защиты от коррозии
Та2О5, Аl2O3
Мембраны для очистки воды
Антибактериальные слои
ZnO, TiO2
Пригодные для переработки
бумажные/картонные
упаковочные материалы
Диффузионные барьеры
для газов/влаги
Аl2O3
Топливные элементы
Катализатор
Pd, Pt, Rh
Применение в оптике
Отражающие покрытия
для микроканальных
пластин (рентгеновская оптика)
Ir

Линзы для рентгеновской оптики
Ir
Пленки, предотвращающие
потускнение
Защита изделий из золота
и серебра от потускнения
со временем
Al2O3, TiO2
Подсветка, освещение
Пассивация органических
светодиодов (OLED)

Al2O3
Пленки с низким показателем
преломления n на стекле

MgF2, SiO2
Пленки с высоким показателем
преломления n на стекле

ZnS, TiO2, Ta2O5,
HfO2, ZrO2

Просветляющие покрытия

TiO2
Упрочнение стеклянных
поверхностей
Слои, предотвращающие
появление трещин на стекле
SiO2